试题列表
单选题
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
1
共发射极放大电路中,若输入端已加入交流信号,则正常工作时三极管基极和集电极上的电压为:
A
uBE为纯交流量,uCE为纯交流量
B
uBE为交直流叠加量,uCE为交直流叠加量
C
uBE纯交流量,uCE为交直流叠加量
D
uBE为交直流叠加量,uCE为纯交流量
正确答案:B
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
2
常用的半导体材料(元素)有:
A
B,Ge
B
Si,Ge
C
Si,P
D
P,N
正确答案:B
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
3
关于稳压二极管,下列说法错误的是:
A
稳压二极管是一种特殊的硅材料二极管,在一定的条件下具有稳定电压的作用。
B
稳压二极管的反向击穿电压较低,一般在几伏到几十伏之间。
C
可以利用普通二极管的反向击穿特性,把普通二极管作为稳压二极管使用。
D
稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性制成的,其稳定电压UZ略大于反向击穿电压UBR。
正确答案:C
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
4
关于普通半导体二极管,下列说法错误的是:
A
二极管导通时呈现较小的电阻值,截止时呈现较大的电阻值。
B
二极管具有单向导电性。
C
二极管导通时完全等同于导体,截止时完全等同于绝缘体。
D
二极管一般由单个PN结组成。
正确答案:C
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
5
如下图所示共射基本放大电路,在不考虑三极管输出端内部小信号等效电阻的情况下,当RC =1kΩ,RL =1.5kΩ时,该放大电路的输出电阻Ro为:
A
1.5kΩ
B
2.5kΩ
C
0.6kΩ
D
1kΩ
正确答案:D
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
6
已知某三极管工作在放大状态,其IB=10μA,IC=1mA,则其IE和 值分别为:
A
IE =1.01 mA, =100
B
IE =1.1 mA, =100
C
IE =1.01 mA, =101
D
IE =0.99 mA, =100
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
7
二极管电路如下图所示,则图中的二极管的状态(导通或截止)及AO两端电压UAO值分别为(设二极管是理想的):
A
二极管导通,UAO=﹣15V
B
二极管截止,UAO=3V
C
二极管截止,UAO=﹣12V
D
二极管截止,UAO=12V
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
8
PN结的单向导电性可以表述为:
A
正向导通、反向截止。
B
正向截止、反向截止。
C
正向截止、反向导通。
D
正向导通、反向导通。
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
9
画放大电路交流通路时,对大电容和直流电源电压的处理方法为:
A
电容短路,直流电源电压短路
B
电容开路,直流电源电压短路
C
电容开路,直流电源电压开路
D
电容短路,直流电源电压开路
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
10
如下图所示共射基本放大电路,三极管的小信号等效电路参数rbe=500Ω,当RB =330kΩ时,该放大电路的输入电阻Ri为:
A
略大于330 kΩ
B
略大于500Ω
C
略小于330kΩ
D
略小于500Ω
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
11
共发射极放大电路和共集电极放大电路各自的输入与输出电压间的相位关系分别为:
A
反相;反相
B
反相;同相
C
同相;反相
D
同相;同相
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
12
已知NPN型Si三极管的三个极对地的直流电位分别为UB=0V,UE=+1V,UC=+5V,试判断三极管工作在哪个区。
A
饱和区
B
放大区
C
截止区
D
不确定
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
13
共发射极放大电路中,三极管的接法为:
A
发射极接地,基极接输入端,集电极接输出端
B
发射极接地,集电极接输入端,基极接输出端
C
基极接地,发射极接输入端,集电极接输出端
D
集电极接地,基极接输入端,发射极接输出端
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
14
一般情况下,共集电极放大电路主要用于多级放大器的( )
A
输入电压放大级
B
输出电压放大级
C
中间高增益放大级
D
输入或输出级
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
15
NPN型三极管工作在放大状态时,其外加偏置电压条件为:
A
UBE<0,UBC<0
B
UBE>0,UBC>0
C
UBE<0,UBC>0
D
UBE>0,UBC<0
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
16
一般情况下,共集电极放大电路的输入电阻( )共发射极放大电路的输入电阻。
A
远大于
B
远小于
C
略大于
D
略小于
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
17
如下图所示共射基本放大电路,三极管β =100,当IB=10μA,VCC =12V,RC =4kΩ时,其C-E间直流工作点电压UCE为:
A
12V
B
8V
C
11V
D
4V
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
18
下图所示某场效应管电路符号,该符号对应的场效应管为:
A
P沟道增强型MOS管
B
P沟道耗尽型MOS管
C
N沟道耗尽型MOS管
D
N沟道增强型MOS管
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
19
一般情况下,共集电极放大电路的输出电阻( )共发射极放大电路的输出电阻。
A
远小于
B
略大于
C
远大于
D
略小于
题型:单选题客观题分值2分难度:较难得分:2
20
关于静态工作点对放大器输出波形的影响,下列说法正确的是:
A
工作点过高,会产生截止失真;工作点过低,会产生截止失真
B
工作点过高,会产生饱和失真;工作点过低,会产生截止失真
C
工作点过高,会产生截止失真;工作点过低,会产生饱和失真
D
工作点过高,会产生饱和失真;工作点过低,会产生饱和失真
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
21
三极管与场效应管的工作机理分别为:
A
三极管是电流控制型器件;场效应管是电流控制型器件
B
三极管是电压控制型器件;场效应管是电压控制型器件
C
三极管是电压控制型器件;场效应管是电压控制型器件
D
三极管是电流控制型器件;场效应管是电压控制型器件
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
22
如下图所示共射放大电路,该放大电路采用了分压式偏置电路来稳定直流工作点。那么,分压式偏置电路所要稳定的量是:
A
直流电流IB
B
直流导通电压UBE
C
输出交流电压uo
D
直流电流IC
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
23
硅和锗材料两种二极管正向导通时,在管子上的正向电压UVD分别约为:
A
0.7V、0.2V
B
-0.7V、-0.2V
C
-0.2V、-0.7V
D
0.2V、0.7V
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
24
3.关于半导体的基本特性,下列说法错误的是:
A
当半导体受到外界热的激发时,其导电能力会发生显著变化。
B
在纯净的半导体中加入微量的杂质,其导电能力会有显著的增加。
C
当半导体受到外界光的激发时,其导电能力会发生显著变化。
D
当半导体受到外界热的激发时会发光或受到外界光的激发时会发热。
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
25
共集电极放大电路中,三极管的接法(交流通路)为:
A
集电极接地,基极接输入端,发射极接输出端
B
集电极接地,发射极接输入端,基极接输出端
C
基极接地,发射极接输入端,集电极接输出端
D
发射极接地,基极接输入端,集电极接输出端
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
26
关于发光二极管,下列说法错误的是:
A
发光二极管是一种能将电能转换成光能的半导体器件。
B
发光二极管是一种能将光能转换成电能的半导体器件。
C
发光二极管正常工作电流一般为几至几十毫安。
D
发光二极管正向导通压降比普通二极管大,一般在1.5~2.3V之间。
题型:单选题客观题分值2分难度:中等得分:2
27
下图所示为NPN型三极管共射放大电路输出波形的两种失真,其分别对应为:
A
图(a)为饱和失真,图(b)为截止失真
B
图(a)为饱和失真,图(b)为饱和失真
C
图(a)为截止失真,图(b)为截止失真
D
图(a)为截止失真,图(b)为饱和失真
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
28
一般情况下,共集电极放大电路的电压增益
A
略小于1
B
远小于1
C
略大于1
D
远大于1
题型:单选题客观题分值2分难度:一般得分:2
29
画放大电路直流通路时,对电容和直流电源电压的处理方法为:
A
电容开路,直流电源电压开路
B
电容开路,直流电源电压短路
C
电容短路,直流电源电压保留
D
电容开路,直流电源电压保留
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
30
关于二极管的极限参数,下列说法错误的是:
A
二极管正常工作时,其工作电压、电流等变量值均不得超过对应极限参数所规定的最大允许值。
B
二极管正常工作时,其工作电压、电流等变量值均需超过对应极限参数所规定的最大允许值。
C
IFM是指二极管正常工作时允许通过的最大正向平均电流;URM是指二极管正常工作时所允许的最大反向电压。
D
fM是二极管正常工作的上限频率,当工作频率超过fM时,二极管将失去单向导电性。
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
31
关于半导体的基本特性,下列说法错误的是:
A
在纯净的半导体中加入微量的杂质,其导电能力会有显著的增加。
B
当半导体受到外界光的激发时,其导电能力会发生显著变化。
C
当半导体受到外界热的激发时,其导电能力会发生显著变化。
D
当半导体受到外界热的激发时会发光或受到外界光的激发时会发热。
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
32
场效应管相对于三极管而言,其突出的优点是:
A
在电路参数基本相同的情况下,场效应管的输出电流大得多
B
在电路参数基本相同的情况下,场效应管的电压增益高得多
C
输入阻抗极高,功耗小
D
在电路参数基本相同的情况下,场效应管的输出电阻小得多
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
33
如下图所示共射基本放大电路,三极管的β=100,其小信号等效电路参数rbe=1kΩ,当RC =2kΩ,RL =2kΩ时,该放大电路的增益Au为:
A
-50
B
-200
C
-100
D
+ 100
题型:单选题客观题分值2分难度:简单得分:2
34
如下图所示共射基本放大电路,当VCC =15V,RB =300kΩ时,若忽略导通电压UBE,其基极直流工作点电流IB为:
A
20μA
B
50μA
C
5μA
D
500μA
多选题
题型:多选题客观题分值4分难度:一般得分:4
1
三极管的主要参数有____、____、____、____。
A
发射结导通电压
B
最大集电极功耗PCM
C
最大集电极电流ICM
D
发射结等效电阻
E
电流放大系数β和α
F
反向击穿电压UBR,CEO
题型:多选题客观题分值4分难度:简单得分:4
2
3.三极管的主要工作区有____、____、____。
A
可变电阻区
B
截止区
C
放大区
D
夹断区
E
饱和区
题型:多选题客观题分值4分难度:简单得分:4
3
共集电极放大器的主要特点有____、____、____。
A
电压放大倍数小于接近于1
B
输出电阻大
C
输入电阻大
D
输出电阻小
E
输入电阻小
题型:多选题客观题分值4分难度:简单得分:4
4
场效应管的主要特点有____、____、____、____。
A
电流放大倍数高
B
电压放大倍数高
C
噪声低
D
输入电阻高
E
热稳定性好
F
制造工艺简单
题型:多选题客观题分值4分难度:简单得分:4
5
二极管的极限参数主要有____、____、____、____。
A
最高反向工作电压URM
B
最大整流电流IFM
C
导通等效电阻
D
导通电压
E
最高工作频率fM
F
反向饱和电流IR
题型:多选题客观题分值4分难度:一般得分:4
6
组成三极管共射基本放大电路的元器件主要有____、____、____、____。
A
三极管
B
基极电阻及耦合电容
C
集电极电阻及耦合电容
D
输出负载
E
输入信号源
F
直流电压源
简答题
题型:简答题主观题分值8分难度:一般得分:8
1
共集电极放大电路的性能特点是什么?既然其电压增益小于1(接近1),没有电压放大作用,那么它在电路中能起什么作用?
请先
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